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本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种高精度套刻补偿方法，包括，使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补...
该专利属于南京诚芯集成电路技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京诚芯集成电路技术研究院有限公司授权不得商用。

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