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本发明公开了一种单晶硅片的生产工艺，属于半导体材料生产技术领域，该单晶硅片的生产工艺包括以下步骤：步骤一：制备单晶硅坯：选取纯度高的工业硅，筛选去除工业硅之间混杂的杂质，再将工业硅与掺杂物放入长晶炉内，关闭长晶炉，并对长晶炉内部进行抽真空处...
该专利属于成都青洋电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都青洋电子材料有限公司授权不得商用。

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