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本发明属于半导体封装技术领域，具体提出一种非制冷红外探测器的晶圆级封装结构，在晶圆级封装探测器沿晶圆级焊料环内侧位置和/或基板晶圆背面的划片槽区域形成的多圈或纵横交叉分布的应力释放槽。在整片晶圆封装工艺按压键合时，键合时的应力会沿着应力释放...
该专利属于武汉高芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉高芯科技有限公司授权不得商用。

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