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本发明公开一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，在待加工晶圆表面沉积金属薄膜，然后在晶圆的正背面生长多晶硅，然后将晶圆直接放入快速退火炉进行700～1100℃退火，退火完成后，待晶圆冷却至室温后取出。本发明通过在碳化硅表面形成多晶的方式降低碳...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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