一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法技术

本发明专利技术公开一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，在待加工晶圆表面沉积金属薄膜，然后在晶圆的正背面生长多晶硅，然后将晶圆直接放入快速退火炉进行700～1100℃退火，退火完成后，待晶圆冷却至室温后取出。本发明专利技术通过在碳化硅表面形成多晶的方式降低碳化硅晶圆的透光率，使得碳化硅晶圆可以直接吸收快速退火炉中灯管的辐射热量，不需要再依赖石墨或其他吸热介质承载，改善了欧姆接触退火的均一性。改善了欧姆接触退火的均一性。改善了欧姆接触退火的均一性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，涉及一种快速退火的方法，尤其涉及一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法。

技术介绍

[0002]SiC(碳化硅)由于具有高的禁带宽度、高热导率、高耐压等特性，被视为功率芯片的新一代最佳材料，而金属
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半导体接触工艺是碳化硅半导体工艺中不可避免的。碳化硅和金属形成欧姆接触式碳化硅半导体器件工艺中十分关键的一步，需要较高的退火温度和均一性要求，目前主流的碳化硅欧姆接触工艺是用快速热退火实现的，快速热退火是通过钨灯通过热辐射加热晶圆，达到退火的目的；而碳化硅由于其较高的透光率，无法将辐射的热量吸收，所以碳化硅退火需要能吸收热辐射的介质，如：硅片或石墨载盘等载片。但是用吸热介质载片的方式主要是通过介质吸收热量后传递给碳化硅晶圆，热转化效率低，而且由于晶圆表面存在翘曲等问题，导致晶圆和载盘之间不能完美的接触，接触的位置传热快，翘起的位置传热极慢，导致退火的均一性较差；同时，由于快速热退火的升温速率较快，吸热介质在骤热的情况下容易碎裂，传统的快速退火载片方式如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在待加工的晶圆表面沉积金属膜层；步骤2、在所述金属膜层上形成目标图形；步骤3、将步骤2得到的包括所述金属膜层的晶圆正面及晶圆背面沉积多晶硅；步骤4、将步骤3所得到的晶圆放入快速退火炉中退火；步骤5、将退火后的晶圆通过湿法腐蚀去除表面的多晶硅。2.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，其特征在于，步骤1所述的金属膜是Ti、Ni、Al、Pt金属中的一种或多种。3.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，其特征在于，步骤1所述的金属膜的厚度为100～1000nm。4.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体欧姆接触退火的方法，其特征在于，步骤2中利用光刻加...

【专利技术属性】
技术研发人员：冉飞荣，盛况，任娜，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：