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本实用新型公开了一种耐高温耐腐蚀SiC MOSFET器件单元，包括器件主体，器件主体的内部设置有均匀分布的栅极，栅极的顶部设置有源极，相邻两个栅极之间设置有晶体管间隔层，晶体管间隔层与源极接触，栅极的底部设置有漏极，栅极和漏极之间设置有碳化...
该专利属于宁波君芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波君芯半导体有限公司授权不得商用。

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