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半导体装置的制作方法，包括：形成至少一鳍状物于基板上；形成多个虚置栅极于至少一鳍状物上；并形成侧壁间隔物于虚置栅极上。外延形成源极与漏极区以接触至少一鳍状物并与虚置栅极横向相邻，其中形成源极与漏极区的步骤留下孔洞于源极与漏极区之下并与虚置栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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