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本发明提供一种MOSFET器件及制备方法，引入具有不同掺杂浓度的双层外延以及较深的具有不同厚度栅介电层的沟槽栅极结构，能够使得在一定沟槽深度情况下MOSFET器件取得较高的耐压，显著降低了导通电阻和反向恢复时间；在沟槽栅极结构中，形成的具有...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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