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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包括一外延叠层位于一基底上，一栅极结构位于该外延叠层上，一钝化层位于该外延叠层并覆盖该栅极结构，以及一气隙位于该钝化层及该栅极结构之间。间。间。
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该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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