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本发明公开了一种LOCOS工艺后去除氮化硅的方法，所述方法为：正式栅氧生长前，在表面沉积氮化硅膜，并形成LOCOS窗口，在多晶栅二边沟道中间采用局部氧化工艺生长出一定厚度的氧化层，并使得局部氧化加厚的部位位于非沟道处，再去除氮化硅膜，最后进...
该专利属于厦门中能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门中能微电子有限公司授权不得商用。

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