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本申请实施例公开了一种高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法，本申请实施例提供的激光器包括了外延片和依次设置在外延片之上的第一氧化硅介质层、第一BCB层、第二BCB层和介质层，如此设置一方面，选用了低介电常数的材料，可以降低激光器的寄...
该专利属于武汉敏芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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