高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法，本申请实施例提供的激光器包括了外延片和依次设置在外延片之上的第一氧化硅介质层、第一BCB层、第二BCB层和介质层，如此设置一方面，选用了低介电常数的材料，可以降低激光器的寄生电容；另一方面，提升了BCB膜的总厚度，并减轻因为BCB膜的厚度提升带来的边缘堆胶问题和光刻后精度变低问题，能够提高激光器的良品率，便于提高光刻精度，可以提高激光器的质量。可以提高激光器的质量。可以提高激光器的质量。

【技术实现步骤摘要】
高速EML激光器电吸收调制区结构及其制备方法


[0001]本申请实施例涉及半导体器件
，尤其涉及一种高速EML激光器电吸收调制区结构和一种高速EML激光器电吸收调制区结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在光通信的干线网络中，实现大容量、长距离传输是光传输系统最主要的两个指标。然而直调半导体激光器(DML)由于啁啾效应，传输距离短系统中受到限制，因此，主要用于接入网和数据中心等应用场景中。电吸收调制激光器(EML)是集成了分布反馈(DFB)激光器与电吸收调制器(EA)的光子集成器件。其由激光器部分作为光源，由EA部分实现调制功能。EML具有低啁啾、高调制速率、传输距离长的优点，目前是高速骨干网和城域网光发射模块的最佳解决方案。
[0003]互联网时代，信息容量呈指数形式增长，目前光通信行业都在追求更高的速率。在骨干网中，带宽大于50GHz，调制速率达到80Gb/s
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100Gb/s的EML有非常广阔的应用前景。在接入网中，10G
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EPON和GPON中使用EML可以提升OLT端下行速率并且拓展本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速EML激光器电吸收调制区结构，其特征在于，包括：外延片；第一氧化硅介质层，设置在所述外延片上；第一BCB层，设置在所述第一氧化硅介质层上；第二BCB层，设置在所述第一BCB层上；介质层，覆盖在所述第二BCB层上。2.根据权利要求1所述的高速EML激光器电吸收调制区结构，其特征在于，所述介质层包括：氮化硅介质层，覆盖在所述第二BCB层上；第二氧化硅介质层，覆盖在所述氮化硅介质膜上；其中，所述氮化硅介质层的厚度为100nm至250nm，所述第二氧化硅介质层的厚度为250nm至350nm。3.根据权利要求1所述的高速EML激光器电吸收调制区结构，其特征在于，所述第一氧化硅介质层的厚度为250nm至350nm。4.根据权利要求1所述的高速EML激光器电吸收调制区结构，其特征在于，还包括：电极，设置在所述介质层上；其中，所述电极的外缘轮廓为椭圆形，所述椭圆形的长轴布置方向远离于EA结区布置。5.根据权利要求1至4中任一项所述的高速EML激光器电吸收调制区结构，其特征在于，所述第一BCB层和所述第二BCB层的厚度和大于4um。6.一种高速EML激光器电吸收调制区结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至5中任一项所述的高速EML激光器电吸收调制区结构，所述制备方法包括：提供外延片；在所述外延片上生长氧化硅，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚齐，魏思航，周志强，刘永康，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：