温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种以金刚石为衬底的外延GaN及其制备方法，其由金刚石为衬底，设置于金刚石衬底上的单层或者多层石墨烯层，以及溅射于石墨烯层上的氮化铝层，以及外延生长于氮化铝上的氮化镓薄膜。该方案通过引入单层或者多层石墨烯，降低由于对多晶金刚石的...
该专利属于化合积电（厦门）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过化合积电（厦门）半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。