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本申请涉及刻蚀方法和碳化硅电子器件。该方法包括交替进行的刻蚀阶段和沉积阶段，刻蚀阶段，向腔室内通入含氟气体和含氧气体，并提供激励电源和偏压电源，对碳化硅基板进行刻蚀；沉积阶段，向腔室内通入含氧气体，不通入含氟气体，并提供激励电源和偏压电源，...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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