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本发明涉及一种红外探测器、成像芯片及其制备方法，提供具有NIPI/PINI垂直结构的大尺度InGaAsOI衬底的制备方法，通过将受主衬底和施主衬底键合的方式形成在同一InGaAsOI衬底，并在将InGaAsOI衬底上分别形成短波红外InGa...
该专利属于广州诺尔光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州诺尔光电科技有限公司授权不得商用。

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