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本发明公开了一种衬底处理方法及系统，该方法包含：在衬底上形成若干个间隔件；通入沉积气体并激发成等离子体；形成聚合物沉积在间隔件表面，使相邻间隔件的距离的差值减小；通入处理气体对衬底进行刻蚀。其优点是：该方法通过通入沉积气体并激发成等离子体，...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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