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本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。长GaN纳米...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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