下载用于CMOS图像传感器的浅沟槽隔离(STI)结构的技术资料

文档序号:35589619

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种浅沟槽隔离(STI)结构、一种在半导体基板中形成STI结构的方法以及一种CMOS图像传感器。STI结构是在具有前侧表面的半导体基板中形成的,具有在与前侧表面相同的平面内的第一宽度W和垂直于前侧表面的第一深度D,以在光电二极管区域和...
该专利属于豪威科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过豪威科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。