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本发明涉及一种免光刻背接触太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。本方法采用原子层沉积技术，对带有纳米线结构的单晶硅片进行了有效的钝化。通过真空热蒸发和旋涂的简单工艺，依次制备了LiF/Mg/Al作为电子传输层及电池负极，PEDOT:PSS/...
该专利属于中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大学授权不得商用。

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