一种免光刻背接触太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种免光刻背接触太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。本方法采用原子层沉积技术，对带有纳米线结构的单晶硅片进行了有效的钝化。通过真空热蒸发和旋涂的简单工艺，依次制备了LiF/Mg/Al作为电子传输层及电池负极，PEDOT:PSS/MoO

【技术实现步骤摘要】
一种免光刻背接触太阳电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种免光刻背接触太阳电池的制备方法，属于光伏


技术介绍

[0002]硅基太阳电池长期占据着光伏市场的主要部分，在众多硅电池结构中，有着本征非晶硅钝化层的背接触电池（HIT
‑
IBC电池）保持着目前的硅基太阳电池效率记录26.7%，这主要归因于非晶硅卓越的钝化效果和背接触结构的正面无寄生光吸收、无栅线遮光特点，使电池获得了高的开路电压及短路电流。
[0003]虽然HIT
‑
IBC电池效率很高，但背接触结构具有的交叉指状结构的背电极通常需要复杂且高成本的光刻技术来制备，这极大地限制了其在工业生产上的应用。因此，需要探寻一种简单的方法替代光刻，制备免光刻的背接触太阳电池。对此，国内外的研究工作者想过一些方法，比如Tomasi等人采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）与掩膜版结合的方法实现了背接触结构，但过程中需要用到两次掩膜版，涉及到掩膜版的对齐，而PECVD生长的薄膜图形边缘比较模糊，这使得对齐更加困难。而Kim等人则是用离子注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种免光刻背接触太阳电池的制备方法，其特征在于该制备方法包括以下步骤：（1）采用金属辅助化学刻蚀方法，在n型单晶硅片的上表面形成竖立的、直径为20～2000纳米、高度为100～10000纳米的纳米线，将上表面带有纳米线的硅片清洗干净；（2）将步骤（1）得到的样品放入原子层沉积设备的腔体中，腔体温度为100
‑
200℃，反应源采用三甲基铝和水，在样品上表面沉积10
‑
15纳米的氧化铝薄膜，随后在380
‑
450℃氮气环境下让样品退火20
‑
25分钟以激活氧化铝的钝化效果；（3）对于步骤（2）得到的样品，在保护样品上表面氧化铝钝化层不被破坏的前提下，用氢氟酸溶液去除样品下表面的氧化层，氢氟酸溶液的体积百分比浓度为5～15%，处理时间为1～3分钟；（4）在步骤（3）得到的样品的下表面固定掩膜版，将样品放入热蒸发设备的腔体中，当腔体真空小于1
×
10
‑3帕时，在样品下表面沉积一层厚度为2
‑
3纳米的氟化锂薄膜；（5）保持掩膜版位置不动，将步骤（4）得到的样品放入热蒸发设备的腔体中，当腔体真空小于1
×
10
‑3帕时，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙纵横，周玉荣，刘丰珍，
申请(专利权)人：中国科学院大学，
类型：发明
国别省市：