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本发明公开一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法，基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等材料外延生长方式，通过在单晶衬底表面生长氮化铝过渡层，提升衬底表面催化活性，降低后续氮化硼二维材料成核所需的活化能；引入氮化硅隔离层，降低氮化...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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