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本发明提供一种降低寄生电容的鳍式电晶管结构，包括衬底，衬底上形成有多个鳍式结构，鳍式结构两侧的源、漏区分别形成有与其相连接的导电层；鳍式结构、导电层上形成有第二层间介质层，使得每两相邻的鳍式结构及两者间的导电层间具有空隙。本发明的两鳍式结构...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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