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本发明提供一种调节动态特性的超结VDMOS器件及制备方法，在超结VDMOS器件中形成位于第一导电类型柱顶部的沟槽，且结合该沟槽，形成位于第一导电类型源区、第二导电类型体区及第一导电类型柱上且延伸至沟槽内的栅极结构，从而使得栅极结构向第一导电...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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