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本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，通过在完成肖特基接触孔刻蚀之后，形成覆盖栅氧化层和沟槽多晶硅的本征多晶硅层，在后续形成肖特基势垒金属层之后，所述肖特基势垒金属层可以与覆盖于所述栅氧化层上的所述本征多晶硅层反应，从而...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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