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本发明提出一种低导通电阻分离栅MOSFET芯片及其制造方法，该MOSFET芯片的栅极多晶硅罩覆于分离栅多晶硅外部，使使分离栅多晶硅与栅极多晶硅之间的隔离氧化层形成倒扣碗型结构，该MOSFET芯片为了克服常规分离栅MOSFET结构中的缺陷，通...
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