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带隙基准电路制造技术
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文档序号:35550820
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本申请实施例提供了一种带隙基准电路,通过设置第一晶体单元和第二晶体单元实现了分压,使得第二晶体单元上产生的随温度变化会降低的第二电压(也即CTAT电压)得以减小,以使CTAT电压随温度变化后降低的幅度减小,由于带隙基准电路是通过PTAT电压...
该专利属于武汉泽声微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉泽声微电子有限公司授权不得商用。
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