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本发明提供的一种半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件包括衬底、依次在衬底上形成的GaN和势垒层、通过刻蚀所述GaN层和所述势垒层形成的第一凹槽、形成在第一凹槽以及与所述第一凹槽相接的所述势垒层的上表面的n型重掺杂GaN材料，本发明通...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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