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本发明属于背接触异质结电池技术领域，具体涉及一种无掩膜层联合钝化背接触电池及其制备方法，方法包括以下步骤：S101、提供硅片基底；S102、在硅片基底的背面依次形成第一半导体层、掩膜层，第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂多晶层；S103、...
该专利属于金阳（泉州）新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过金阳（泉州）新能源科技有限公司授权不得商用。

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