温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；沟道层，形成在衬底上，沟道层上形成有向下凹陷的台面；势垒层，形成在沟道层的未形成有台面的区域上，势垒层适用于在沟道层内极化产生二维电子气层；p型基区，形成在势垒层上的部分区域；n型发射区，形成...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。