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本发明公开了涉及用于芯片的封装方法,芯片封装制备领域,包括S1在来料晶圆上涂布或粘贴第一有机绝缘层;S2对第一有机绝缘层进行开孔露出来料晶圆;S3切割成单颗芯片;S4单颗芯片粘贴在涂布有临时键合胶的载板上;S5对载板进行塑封,形成塑封层;S...该专利属于成都奕斯伟系统集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都奕斯伟系统集成电路有限公司授权不得商用。
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本发明公开了涉及用于芯片的封装方法,芯片封装制备领域,包括S1在来料晶圆上涂布或粘贴第一有机绝缘层;S2对第一有机绝缘层进行开孔露出来料晶圆;S3切割成单颗芯片;S4单颗芯片粘贴在涂布有临时键合胶的载板上;S5对载板进行塑封,形成塑封层;S...