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本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体存储器，该半导体结构包括：沟道掺杂区；形成在沟道掺杂区两侧的漏极掺杂区和源极掺杂区；绝缘隔离层，包括第一绝缘隔离部分和第二绝缘隔离部分，第一绝缘隔离部分形成在沟道掺杂区的表面，第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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