温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种InSb多晶薄膜负极材料的制备方法及其应用，所述InSb多晶薄膜负极材料为闪锌矿结构的InSb晶体。本发明通过磁控溅射沉积的方式制备了InSb薄膜负极，该材料在充放电循环过程中始终保留整体闪锌矿结构()，并且仅存在极小的体积...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。