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本公开提供了一种场效应晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，场效应晶体管包括：衬底层；沟道层，通过在衬底层上沉积碳纳米管而形成；铁电栅介质层，位于沟道层的源漏沟道中间，通过在沟道层之上沉积掺杂氧化铪的铁电栅介质薄膜而形成；栅极，形成于铁...该专利属于北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司授权不得商用。