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本发明涉及一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法。本发明的目的是要解决现有钴酸镍导电性较差和活性位点较少的问题，提供一种改善钴酸镍基超级电容器性能的制备方法。方法：以氯化铜、聚乙烯吡咯烷酮、氢氧化钠、L
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该专利属于齐齐哈尔大学所有，仅供学习研究参考，未经过齐齐哈尔大学授权不得商用。

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