一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法。本发明专利技术的目的是要解决现有钴酸镍导电性较差和活性位点较少的问题，提供一种改善钴酸镍基超级电容器性能的制备方法。方法：以氯化铜、聚乙烯吡咯烷酮、氢氧化钠、L

【技术实现步骤摘要】
一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备。

技术介绍

[0002]超级电容器是一种介于传统电容器和电池之间的新型储能器件，通过在电极材料和电解质界面快速的离子吸脱附或高度可逆的法拉第氧化还原反应来存储能量，是具有广阔应用前景的新型储能器件。超级电容器的核心为电极材料，钴酸镍因具有高的理论比容量，已成为能源材料的研究热点之一。然而钴酸镍导电性能和电化学活性位点依然有待改善。通过模板法制备的中空钴酸镍纳米立方体改善其比表面积，并通过构造氧缺陷提升钴酸镍导电性和丰富电化学活性位点，从而提高其导电能力和电化学性能，对解决能源紧缺问题具有重要研究意义。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是要克服钴酸镍导电性能差、反应活性位点少的问题，而提供一种简单、新颖、产率较高的制备方法。
[0004]本专利技术的一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法是按以下步骤完成：(1)将聚乙烯吡咯烷酮溶于氯化铜溶液中，然后将氢氧化钠溶液逐滴滴入到上述溶液中，搅拌后，将抗坏血酸溶液逐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法是按以下步骤完成的：(1)将聚乙烯吡咯烷酮溶于氯化铜溶液中，然后将氢氧化钠溶液逐滴滴入到上述溶液中，搅拌后，将抗坏血酸溶液逐滴滴入到上述溶液中，搅拌，离心洗涤干燥，得到氧化亚铜纳米立方体模板；(2)将氧化亚铜模板和氯化镍、氯化钴放入含有聚乙烯吡咯烷酮的水/乙醇混合溶液中，搅拌，滴入硫代硫酸钠，离心洗涤干燥，得到中空镍钴氢氧化物纳米立方体；(3)将0.2克步骤(2)中制备的沉淀物放入马弗炉中煅烧，得到中空钴酸镍纳米立方体；(4)将步骤(3)中得到的中空钴酸镍纳米立方体和次亚磷酸钠分别置于管式炉的两个瓷舟中，其中次亚磷酸钠位于上游，在N2保护条件下煅烧，得到缺陷型中空钴酸镍纳米立方体即为超级电容器材料。2.根据权利要求1所述的一种缺陷型中空钴酸镍纳米立方体的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中硝酸钴和硝酸镍质量分别为0.2
‑
2克，异丙醇体积为30
‑
100毫升，甘油体积为5
‑
20毫升，水热反应温度为50
‑
200摄氏度，反应时间为5
‑
20个小时，干燥条件为50
‑
80摄氏...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴东凤，郭文鑫，郭东轩，
申请(专利权)人：齐齐哈尔大学，
类型：发明
国别省市：