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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种凸形碳化硅JBS器件及其制备方法、芯片，在N型外延层的正面形成多个侧壁设有第一氮化硅层的第二凹槽，然后在多晶硅掩膜层以及第一氮化硅层的掩蔽下，对N型外延层进行P型掺杂离子注入，以在N型外延层的正面形成多...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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