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本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种集成双向TVS二极管功率器件芯片的制作方法，S1：在N型单晶圆片蚀刻沟槽；S2：在整个芯片表面生长一层栅氧化层；S3：沉积N型多晶硅并蚀刻；S4：做P阱注入并退火；S5：做N+阱注入并退火；S6：...
该专利属于淄博美林电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淄博美林电子有限公司授权不得商用。

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