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本申请实施例提供了一种MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件；其中，方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆中形成第一通孔，第一通孔贯穿第一导电材料层和第一绝缘层并暴露出第一基底；在第一晶圆的第一导电材料层所在的一侧上键合第二晶圆；在第二晶圆中...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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