MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件技术

本申请实施例提供了一种MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件；其中，方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆中形成第一通孔，第一通孔贯穿第一导电材料层和第一绝缘层并暴露出第一基底；在第一晶圆的第一导电材料层所在的一侧上键合第二晶圆；在第二晶圆中形成第二通孔，第二通孔贯通第一表面和第二表面并且与第一通孔相连通；在第二通孔和第一通孔内形成导电层，在第二晶圆的第二表面形成与导电层导电连接的焊盘；焊盘用于连接到接地电位；导电层用于将第一基底、第一导电材料层、第二导电材料层和焊盘导电连接；在第二晶圆的第二表面上键合第三晶圆；第三晶圆通过键合金属与第二导电材料层导电连接。材料层导电连接。材料层导电连接。

【技术实现步骤摘要】
MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件。

技术介绍

[0002]基于MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机电系统)加工工艺制作的惯性传感器已有广泛应用，由于其具有结构简单、与微电子制作工艺兼容性好、可大批量制造、占用面积小、使用方便等优点而受到广泛关注。
[0003]但是，随着MEMS微腔体结构中电极间距的窄小化以及应用频率的高频化，寄生电容引起的对待测信号的干扰问题愈加显著。为了获得更有效、更精确的测量结果，必须抑制寄生电容的干扰。目前，通常采用在MEMS器件的各部位上分别形成金属层，利用金属层接地的方式，将整个器件的电位保持在较低水平，以减小寄生电容。然而，这种方式制程层数多，金属层发生剥离问题的风险大、生产成本较高。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件。
>[0005]为达到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供具有第一基底、第一绝缘层和第一导电材料层的第一晶圆；在所述第一晶圆中形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一导电材料层和所述第一绝缘层并暴露出所述第一基底；在所述第一晶圆的所述第一导电材料层所在的一侧上键合第二晶圆；所述第二晶圆具有第二导电材料层，所述第二晶圆中的所述第二导电材料层和所述第一晶圆中的所述第一导电材料层相互键合；所述第二晶圆具有朝向所述第一晶圆的第一表面和背离所述第一晶圆的第二表面；在所述第二晶圆中形成第二通孔，所述第二通孔贯通所述第一表面和所述第二表面并且与所述第一通孔相连通；在所述第二通孔和所述第一通孔内形成导电层，在所述第二晶圆的所述第二表面形成与所述导电层导电连接的焊盘；其中，所述焊盘用于连接到接地电位；所述导电层用于将所述第一基底、所述第一导电材料层、所述第二导电材料层和所述焊盘导电连接；在所述第二晶圆的所述第二表面上键合第三晶圆；所述第二晶圆与所述第三晶圆之间通过键合金属形成共晶键合，所述第三晶圆通过所述键合金属与所述第二导电材料层导电连接；所述第三晶圆的与所述焊盘对应的位置被去除，以使所述焊盘被暴露。2.根据权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆中形成第一通孔，包括：对所述第一导电材料层进行刻蚀，形成空腔以及预留孔；其中，所述预留孔位于所述第一通孔的预设形成位置处；在所述预留孔的位置处继续向下刻蚀，直至贯穿所述第一绝缘层并暴露出所述第一基底，形成所述第一通孔。3.根据权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述第二晶圆中的所述第二导电材料层和所述第一晶圆中的所述第一导电材料层之间为Si
‑
Si键合。4.根据权利要求1所述的MEMS器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述在所述第二晶圆中形成第二通孔，包括：对所述第二晶圆进行刻蚀，以在不同的位置处分别形成功能结构孔以及所述第二通孔。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐健，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：