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本发明公开了一种高介电常数BT@SiC/PI复合薄膜及其制备方法，首先制备钛酸钡包裹碳化硅的BT@SiC纳米颗粒，然后将BT@SiC纳米颗粒均匀分散在除水DMAc溶剂中，通过共混法制备BT@SiC/PAA共混液，再经过涂膜，真空干燥，最后热...
该专利属于江西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过江西师范大学授权不得商用。

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