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一种可控温度梯度的晶体生长装置及方法，涉及半导体、光学晶体及金属晶体制备领域，晶体生长装置包括坩埚及配套组件、熔体温度梯度控制机构、晶体温度梯度控制机构；熔体温度梯度控制机构设置在坩埚内部，包括升降杆、加热板；晶体温度梯度控制机构包括恒温冷...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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