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本发明提供了一种基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法，涉及微电子和器件工艺模拟技术领域。包括如下步骤：构建碳化硅晶体的模型，在模型中的碳化硅晶体表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使碳化硅晶体处于初始状态；加热碳化硅晶体至...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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