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一种用于控制在熔体表面上生长的结晶带的厚度的设备，包括被配置为容纳熔体的坩埚；面向熔体的暴露面的冷初始化器；设置在坩埚上方且与冷初始化器位于坩埚的同一侧的分段冷却减薄控制器；和设置在与冷却减薄控制器相对的在坩埚下方的均匀回熔加热器。使用设置...
该专利属于尖端设备技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过尖端设备技术公司授权不得商用。

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