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本发明提供一种厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，该制备方法包括步骤：制备Si/SiO2/Si复合结构衬底，并调节控制顶层硅层的厚度；在Si/SiO2/Si复合结构衬底上制备柔性电子器件层；利用化学腐蚀工艺去除Si/SiO2/Si...
该专利属于中电科技集团重庆声光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科技集团重庆声光电有限公司授权不得商用。

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