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本发明公开了一种半导体器件的工艺方法，基于存在台阶的多晶硅刻蚀，在沉积多晶硅之前，先在具有台阶的薄膜表面沉积一层介质层，然后在介质层刻蚀之后再沉积多晶硅层。本发明所述的半导体器件的工艺方法，针对台阶状表面刻蚀工艺时在台阶角落存在刻蚀残留的问...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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