温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种垂直磁各向异性磁隧道结，包括：自旋霍尔通道层，具有横向不对称设计，用于产生自旋流和垂直于自旋霍尔通道层的奥斯特磁场，自旋霍尔通道层的两端与电极电连接，在电极施加电流的情况下，自旋霍尔通道层中的电流密度在垂直于电流的方向上不均...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。