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本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底；位于衬底正面的外延层，其中，外延层包括器件区与间隔区，间隔区位于相邻的两个器件区之间，器件区与间隔区之间设置有沟槽，沟槽的底部露出衬底；位于器件区上的APD...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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