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本申请实施例公开了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型模板层，其生长在衬底上；一多量子阱有源区，其生长在N型模板层上；一P型AlGaN电子阻挡层，其生长在多量子阱有源...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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