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一种具有肖特基二极管的非易失性存储元件。该非易失性存储元件包含：绝缘层，为电绝缘；肖特基二极管，形成于绝缘层上的一单晶半导体层，其材料可以是硅、锗、六方氮化硼或砷化镓；写入导线，具有导电性，且该写入导线与该肖特基二极管的前端电连接；存储单元...
该专利属于凌北卿所有，仅供学习研究参考，未经过凌北卿授权不得商用。

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