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本发明提供一种P+屏蔽层自钳位的沟槽型碳化硅IGBT器件及其制备方法，通过引入增强型P沟道MOSFET结构实现P+屏蔽层电势自动钳位：在正向阻断区时，增强型P沟道MOSFET开启，P+屏蔽层自动钳位在低电势保护栅氧化层；在饱和区内，增强型P...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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